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凹凸面曝光显影 利成感光 凹凸面曝光显影厂

发布日期 :2022-11-22 03:55发布IP:123.58.44.124编号:11006039
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PEB之后,硅片冷却至23℃左右,与显影液温度相同,并与显影液发生化学反应。一般来说,显影过程中被曝光和未曝光部分的光刻胶都会与光刻胶发生反应,对显影的要求不高,可以直接将硅片放入显影液槽中浸泡然后取出。对于大部分对显影要求较高的生产及实验过程,凹凸面曝光显影订制,通常使用的匀胶显影机来自动控制显影过程,如图所示。凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影


工艺工程师的目标是保持尽可能低的重新工艺处理率,处理率应小于10%,而5%是一个受欢迎的水平。在掩膜次序中有较宽的特征图形尺寸、较平的表面和较低的密度,所有这些会使掩膜良品率更高。曝光后应尽快进行显影步骤中的烘干处理,凹凸面曝光显影,从而有效降低驻波效应的影响,这是由于曝光过程中,入射光和反射光会产生相互干涉,凹凸面曝光显影厂, 凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影凹凸面曝光显影


显影的主要过程如下:

对准曝光→曝光后烘→显影→坚膜→显影检测。

对准曝光(Alignment and Exure)

对准曝光阶段是光刻工艺的重要阶段,凹凸面曝光显影定制,使用的掩膜曝光机,即光刻机,集中了光刻工艺中重要的工艺技术。对准曝光过程通常在黄光实验室中进行。


曝光后应尽快进行显影步骤中的烘干处理,从而有效降低驻波效应的影响,这是由于曝光过程中,


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