对准曝光阶段是光刻工艺的重要阶段,使用的掩膜曝光机,即光刻机,集中了光刻工艺中重要的工艺技术。对准曝光过程通常在黄光实验室中进行。
显影检验良品率和重新工艺处理率随掩膜水平而变。总体上,在掩膜次序中有较宽的特征图形尺寸、较平的表面和较低的密度,音箱壳曝光显影公司,所有这些会使掩膜良品率更高。在晶圆到了关键的接触和连线步骤时,重新工艺处理率会有上升趋势。总体上有四类晶圆上的问题适用于显影检验和终检验,如在图案尺寸(关键尺寸测量)上会有偏差;有定位不准的图案;有表面问题如光刻胶的污染、空洞或划伤及污点和其它的表面不规则。
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