在显影和烘焙之后就是要完成光刻掩膜工艺的质检。适当地来说应叫显影检验(develop inspect)或DI。检验的目的是区分那些有很低可能性通过终掩膜检验的晶圆;提供工艺性能和工艺控制数据;及分拣出需要重做的晶圆。这时的检验良品率,也就是通过这个质检的晶圆数量,平面曝光显影抛光,不会计入终良品率的计算。但是有两个主要原因使之成为很受关注的良品率。
曝光,是用紫外线光照射,以黑色不透光底片当遮掩介质,而无遮掩的部分油墨发生化学反应固化在pcb高密度多层板上,进行图形转移,把底片上的线路转移到敷铜板上。将板件放在干净的曝光机上玻璃面上,盖上曝光机盖并扣紧,关闭进气阀,设置曝光机的真空时间为10秒,寮步平面曝光显影,曝光时间60秒。开启电源并按启动键,真空抽气机抽真空,平面曝光显影厂,10秒后曝光开始,待曝光灯熄灭,曝光完成。
在显影检验工艺,工程师有个判断工艺的性能机会。显影检验步骤的第二个重要性与在检验时作的拒收有关。首先,一部分晶圆会从上一步留下来问题而要停止工艺处理。这些晶圆在显影检验时会被拒绝接受并进行处理。其它在光刻胶上有光刻图案问题的晶圆可被通过去掉光刻胶的办法而进行重新工艺处理。几乎没有工厂不发生这种一般性的重新工艺处理。晶圆被返回掩膜工艺称为重新工艺处理(rework或redo)。
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