显影是在正性光刻胶的曝光区和负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形的一种光刻技术。显影过程如图1 [1] 所示,铭牌曝光显影,非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生化学反应,铭牌曝光显影定做,在显影时也就不会存在这样的酸碱中和,因此非曝光区的光刻胶被保留下来。在显影时曝光区和非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶溶解速度反差越大,显影后得到的图形对比度越高。
曝光定位 ①目视定位 适用于重氮照相底法。利用稀碱溶液与光致抗蚀剂中未曝光部分的活性基团(羧基)反应,生成可溶性的物质溶于水,铭牌曝光显影公司,而曝光部分的干膜不发生溶解。然后贴上胶带贴牢,即可进行曝光。曝光后,聚合反应还要持续一段时间,为保证工艺的稳定性,铭牌曝光显影企业,曝光后不要立即揭去聚酯膜,利用稀碱溶液与光致抗蚀剂中未曝光部分的活性基团(羧基)反应,生成可溶性的物质溶于水,而曝光部分的干膜不发生溶解。
进行曝光操作前,需要对印刷有油墨的pcb高密度多层板进行烘干处理。光源的选择、曝光时间的长短、底片的生产、储存和使用,曝光机的真空系统和真空曝光框架材料的选择等因素将影响曝光成像的质量。按相同方法固定另一面底片。将板件放在干净的曝光机上玻璃面上,盖上曝光机盖并扣紧,关闭进气阀,设置曝光机的真空时间为10秒,曝光时间60秒。
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