1、曝光过度会导致显影不净。
2、曝光能量不足会导致显影过度。
3、实际曝光能量需根据干膜种类、厚度或油墨种类/厚度/烘烤时间确定,手机壳LOGO曝光显影订做,正常线路曝光使用能量40 -- 120mj/cm2,油墨曝光能量150-500mJ/cm2,手机壳LOGO曝光显影,具体以曝光尺为准;
显影检验良品率和重新工艺处理率随掩膜水平而变。总体上,在掩膜次序中有较宽的特征图形尺寸、较平的表面和较低的密度,所有这些会使掩膜良品率更高。首先,一部分晶圆会从上一步留下来问题而要停止工艺处理。这些晶圆在显影检验时会被拒绝接受并进行处理。检验的目的是区分那些有很低可能性通过终掩膜检验的晶圆;提供工艺性能和工艺控制数据;及分拣出需要重做的晶圆。
显影的主要过程如下:
对准曝光→曝光后烘→显影→坚膜→显影检测。
对准曝光(Alignment and Exure)
对准曝光阶段是光刻工艺的重要阶段,手机壳LOGO曝光显影生产厂商,使用的掩膜曝光机,即光刻机,集中了光刻工艺中重要的工艺技术。对准曝光过程通常在黄光实验室中进行。
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